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SK하이닉스 연구개발센터 발판으로 낸드플래시 역량 키운다

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SK하이닉스 연구개발센터 발판으로 낸드플래시 역량 키운다

입력
2017.09.28 14:58
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SK하이닉스가 2,000억원 이상을 투자해 이천캠퍼스 안에 건설하는 연구개발센터 조감도. SK하이닉스 제공
SK하이닉스가 2,000억원 이상을 투자해 이천캠퍼스 안에 건설하는 연구개발센터 조감도. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 2,000억원 이상을 들여 이천캠퍼스에 연구개발(R&D)센터를 짓는다. 흩어져있는 R&D 인력을 통합, 반도체 기술을 끌어올리기 위한 투자다.

SK하이닉스는 경기 이천시 이천캠퍼스 M14 공장 옆 부지에 다음달 R&D 센터를 착공한다고 28일 밝혔다.

R&D센터는 지상 15층에 지하 5층, 건축연면적 9만㎡ 규모로 4,000여명을 수용할 수 있다. 오는 2019년 9월 완공되면 이천캠퍼스 내 여러 건물에 분산돼 있는 미래기술연구원과 낸드플래시 메모리 개발사업 부문 인력들이 한 공간에 모일 수 있다. D램 개발 연구원 등이 입주한 수펙스센터와 R3 건물이 근처에 있어 SK하이닉스의 통합 연구개발 허브 역할을 하게 된다.

SK하이닉스는 2012년 SK그룹 편입 이후 반도체 기술향상을 위해 R&D에 막대한 투자를 이어오고 있다. 연간 8,000여억원이었던 R&D 투자액은 지난해 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조1,000여억원으로 증가했다. 올해는 상반기에만 1조1,000억원 이상을 집행해 역대 최대 R&D 투자가 이뤄질 전망이다.

올해 SK하이닉스는 일본 도시바의 반도체 자회사 도시바메모리를 인수하는 한미일 연합에 참여하며 낸드플래시 메모리 경쟁력 강화의 발판을 마련했다. 글로벌 D램 시장에서 확고부동한 2위인 SK하이닉스의 낸드플래시 업계 순위는 아직 5위다.

김창훈 기자 chkim@hankookilbo.com

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