세계 최고 반도체 미세공정을 자랑하는 삼성전자가 2020년까지 ‘꿈의 기술’인 4나노미터(㎚ㆍ10억분의 1m) 공정 개발에 돌입했다. 반도체 수탁생산(파운드리)에 본격적으로 뛰어든 삼성의 선전포고다.
삼성전자는 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼'을 열어 반도체 미세공정을 4나노미터까지 낮추는 로드맵과 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최첨단 파운드리 공정을 발표했다.
현재 노광장비로 구현 가능한 8나노 LPP(Low Power Plus) 공정은 올해 안에 개발을 끝내는 게 삼성전자의 계획이다. 극자외선 노광장비(EUV)를 적용한 7ㆍ6ㆍ4나노 공정 개발 완료 시점은 각각 2018년, 2019년, 2020년이다. 글로벌 파운드리 시장의 절반을 차지한 대만 TSMC의 2019년 5나노 공정 완료 목표보다 한발 더 나간 것이다.
여기에 삼성전자는 사물인터넷(IoT)에 적합한 28나노 FD-SOI 기술을 확대하고, 자기저항메모리(M램)가 들어가는 18나노 FD-SOI 기술도 선보인다. 정보저장에 자성(마그네틱)을 활용한 비휘발성 메모리인 M램은 낸드플래시에 비해 쓰기 속도가 약 1,000배 빠른 차세대 반도체다. 삼성전자는 18나노, 28나노 FD-SOI에 M램을 적용한 제품을 각각 2018년과 2020년에 상용화한다.
이번 포럼은 삼성전자가 지난 12일 조직개편으로 시스템LSI사업부 내 파운드리팀을 사업부로 승격한 뒤 처음 개최한 행사다. 파운드리 사업부 윤종식 부사장은 “광범위한 첨단 공정으로 고객에게 최적의 맞춤형 솔루션을 제공하겠다”고 말했다.
김창훈 기자 chkim@hankookilbo.com
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