삼성이 세계 최대 용량의 V낸드플래시 메모리와 차세대 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 기술을 공개하며 경쟁사와의 기술 격차를 더욱 벌렸다.
삼성전자는 8일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017’에서 1테라비트(Tb) V낸드플래시 메모리 반도체를 비롯해 서버 시스템 집적도를 높인 ‘NGSFF SSD’, 응답속도를 향상시킨 ‘Z-SSD’, 신개념 데이터 저장방식을 적용한 ‘키 밸류(Key Value) SSD’ 등의 신기술을 대거 공개했다.
1Tb V낸드플래시는 업계 최초로 개발한 반도체다. 1Tb는 128기가바이트(GB)와 같은 용량으로, 2시간짜리 고화질(HD) 영화 60편 이상을 칩 하나에 담을 수 있다. 1Tb 칩 16개를 쌓으면 2테라바이트(TB)가 돼 SSD 용량도 획기적으로 늘어난다. 삼성전자는 내년 1Tb V낸드플래시를 적용한 SSD 제품을 출시할 예정이다.
NGSFF SSD는 동일한 공간에 기존 대비 저장용량을 4배까지 확대할 수 있다. 삼성전자는 NGSFF SSD를 올해 4분기부터 양산하고 내년 1분기에는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 표준화 작업도 완료할 계획이다.
고성능 Z-SSD는 최적화된 동작회로가 성능을 극대화한 SSD다. 기존 SSD와 비교해 읽기 응답속도가 7배 빠르고, 읽기와 쓰기를 반복하는 환경에서는 최대 12배까지 빠른 응답속도 구현이 가능하다.
키 밸류 SSD는 저장방식을 혁신한 제품이다. 기존 SSD는 다양한 종류ㆍ크기의 데이터를 특정 크기로 변환해 저장하지만 이 SSD는 별도의 전환 과정 없이 있는 그대로 저장해 시스템의 데이터 입출력 속도가 높고 SSD 수명도 연장된다.
진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발로 인공지능(AI)과 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다.
김창훈 기자 chkim@hankookilbo.com
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