내년초 출시 갤럭시 S8에 탑재
삼성전자가 머리카락 굵기의 1만분의1 밖에 안 되는 얇은 회로를 가진 반도체를 양산하기 시작했다.
삼성전자는 17일 세계 최초로 10나노미터(nmㆍ10억분의 1m) 공정의 시스템 반도체 양산에 돌입한다고 밝혔다. 이 기술로 만든 응용프로세서(APㆍ컴퓨터의 두뇌에 해당하는 스마트폰 칩)는 내년 초 출시되는 삼성전자 갤럭시S8(가칭)에 탑재될 것으로 보인다. 10nm는 반도체 칩의 원료인 웨이퍼 원판에 그려 넣는 회로의 폭을 말한다. 수치가 작아질수록 같은 면적에 많은 회로를 넣을 수 있다.
삼성전자는 지난해 1월 반도체 업계 최초로 14nm 공정을 적용한 AP 양산을 시작한 데 이어 10nm 공정에서도 성공, 시스템 반도체 분야의 최첨단 공정에 대한 기술력을 다시 한번 입증했다. 10nm 1세대 공정은 기존 14nm 1세대와 비교하면 성능은 27% 높이고 소비전력은 40% 절감하면서도 웨이퍼 당 칩 생산량은 30% 정도 늘린 것이다.
10nm 공정 양산을 위해서는 14nm보다 훨씬 미세한 회로를 웨이퍼에 정교하게 그려 넣는 ‘패터닝’ 작업이 필요했다. 삼성전자는 패터닝 과정을 세 번 반복하는 ‘트리플 패터닝’ 기술을 적용했다. 한 번에 그려낼 수 없는 작은 회로도를 세 번에 나눠 그리는 방식으로 미세공정의 한계를 극복했다.
삼성전자는 10nm 1세대 공정 양산을 시작으로 성능을 더 높인 2세대 공정을 내년 양산 목표로 개발하는 데도 착수했다. 삼성전자 파운드리(반도체 위탁 생산)사업팀장인 윤종식 부사장은 “지속적인 기술혁신을 통한 미세공정기술 확보는 물론 고객에게 차별화한 반도체 솔루션을 계속 제공할 것”이라고 말했다. 허정헌 기자 xscope@hankookilbo.com
기사 URL이 복사되었습니다.
댓글0