삼성전자는 25일 512기가바이트(GB) DDR5 메모리 모듈을 개발하는데 성공했다고 밝혔다. 삼성전자 제공
삼성전자가 기존 제품 대비 2배 이상의 성능을 구현한 업계 최고 수준의 고용량·고성능 차세대 메모리 DDR5 개발에 성공했다.
삼성전자는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512기가바이트(GB) DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. DDR5는 차세대 D램 규격으로, 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 갖췄다. 데이터 전송속도도 7200메가비피에스(Mbps)까지 구현이 가능하다. 이에 따라 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편 전송도 가능하게 됐다.
삼성전자는 이번 DDR5 메모리 모듈 개발에 HKMG 기술을 적용했다. 이 기술은 초미세공정의 가장 큰 한계인 누설전류를 크게 줄여주는 차세대 반도체 공정이다. 이에 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소하면서 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
이번 제품엔 또 범용 D램 제품 가운데선 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(TSV) 기술이 적용됐다. 이는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술로, 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현할 수 있다. 이에 따라 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 와이어 본딩 기술보다 속도와 소비전력도 끌어올릴 수 있다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.
이 제품은 내년 출시 예정인 인텔의 서버용 중앙처리장치(CPU) '사파이어 래피즈'가 상용화되는 시점에 맞춰 선보일 예정이다.
손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 말했다.
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