영업비밀보호에 관한 법률 위반 등 혐의
삼성전자 전 수석연구원도 함께 구속돼
게티이미지뱅크
삼성전자와 SK하이닉스 임원을 지낸 반도체 전문가와 삼성전자 전 수석연구원이 삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의로 구속됐다.
6일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자의 핵심 반도체 기술인 20나노급 D램 공정 기술 자료를 중국 청두가오전 하이테크놀로지(CHJS)에 유출했다는 의혹을 받는 최모(66)씨와 오모(60)씨를 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의로 전날 구속했다고 밝혔다.
최씨는 삼성전자 상무와 SK하이닉스 부사장을 지낸 반도체 전문가로, 2015년 싱가포르 반도체 컨설팅업체 '진세미'를 세웠다. 2021년 중국 청두시(市)로부터 약 4,600억 원 이상의 투자를 받아 청두가오전을 설립한 당사자이기도 하다. 삼성전자 수석연구원 출신인 오씨 역시 청두가오전의 임원을 지낸 것으로 알려졌다.
이들은 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노급 반도체 생산에 필요한 온도와 압력 등 600여 단계 공정에 관한 정보가 담긴 자료를 청두가오전에 빼돌린 혐의를 받는다. 경찰 관계자는 "이들이 사실상 기술을 통째로 넘긴 수준으로 보고 수사 중"이라고 설명했다.
앞서 경찰은 올해 1월 15일 오씨에 대한 구속영장을 신청했지만 법원이 기각했다. 이후 경찰은 보완수사를 거쳐 지난 2일 구속영장을 재신청하며, 최씨에 대한 영장도 같이 신청한 것으로 알려졌다.
한편 최씨는 2018년 대만기업 폭스콘으로부터 약 8조 원을 투자받은 뒤 삼성전자 화성공장 설계도를 바탕으로 한 이른바 '복제 공장'을 중국 시안에 세우려 하는 등 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 지난해 6월 구속 기소됐으나, 5개월 뒤 보석 석방됐다. 이 사건은 현재 1심 재판이 진행 중이다. 청두가오전은 당시 최씨의 구속으로 20나노급 D램 반도체를 양산하지 못했고, 청두가오전이 반도체 수율 확보에 실패하자 청두시는 지난해 진세미와의 합작을 청산하는 절차에 들어간 것으로 전해졌다.
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